丝网印刷nano-SiC薄膜阴极的电子特性的研究

魏舒怡¹，雷崇民²，魏杰²，盛洪江²，张秀霞²，王晓娥²

(1.中国科学院,研究生院,北京,100049;
2.北方民族大学,电信学院,宁夏,银川,750021;
3.西安交通大学,机械学院,陕西,西安,710049)

摘要:研究了低成本大面积丝网印刷在玻璃衬底上均匀的纳米碳化硅(nano-SiC)薄膜的场致发射特性.提出了机械分散团聚的nano-SiC的方法,实验了适合导电玻璃衬底上制备nano-SiC薄膜的浆料配方,摸索导电玻璃衬底上nano-SiC薄膜的烧结工艺,研究了不同nano-SiC含量的薄膜的场发射特性,得到了最佳场致发射特性的配方比例.对样品进行微观分析和表征.具有稳定均匀场致发射性能的nano-SiC薄膜可作为显示器器件的阴极材料.

关键词:纳米碳化硅薄膜; 电子场发射; 丝网印刷; 后处理过程;

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