简介概要

MoSi_2发热元件的制备及其研究进展

来源期刊:材料导报2009年第23期

论文作者:席俊杰

关键词:MoSi_2发热元件; 自蔓延高温合成; 热弯成形; MoSi_2; heating element; self-propagating high-temperature synthesis; hot bend forming;

摘    要:比较了MoSi_2发热元件的热弯成形和挤压成形工艺方法,指出热弯成形更易获得大型尺寸和复杂形状发热元件,研究了MoSi_2发热元件的技术进展及其工业应用.研究表明,改进MoSi_2粉体的制备工艺、MoSi_2发热元件的成形工艺和冷热端的扩散接合工艺是MoSi_2发热元件改性的技术关键.提出了其未来研究发展的方向.

详情信息展示

MoSi_2发热元件的制备及其研究进展

席俊杰1

(1.郑州航空工业管理学院机电工程学院,郑州,450015)

摘要:比较了MoSi_2发热元件的热弯成形和挤压成形工艺方法,指出热弯成形更易获得大型尺寸和复杂形状发热元件,研究了MoSi_2发热元件的技术进展及其工业应用.研究表明,改进MoSi_2粉体的制备工艺、MoSi_2发热元件的成形工艺和冷热端的扩散接合工艺是MoSi_2发热元件改性的技术关键.提出了其未来研究发展的方向.

关键词:MoSi_2发热元件; 自蔓延高温合成; 热弯成形; MoSi_2; heating element; self-propagating high-temperature synthesis; hot bend forming;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

相关论文

  • 暂无!

相关知识点

  • 暂无!

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号