采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第9期
论文作者：刘洪丽 张听 李树杰 陈志军
关键词：陶瓷连接; SiC/Si3N4陶瓷先驱体; 聚硅氮烷; 反应烧结碳化硅(RBSiC);
摘 要：采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明:在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15 kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1 Mpa.这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材.由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.微观结构及成分分析显示:连接层为厚度 2 μm～3 μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好.
刘洪丽1，张听1，李树杰1，陈志军2
(1.北京航空航天大学,北京,100083;
2.陕西华兴航空机轮刹车系统有限责任公司第46研究所,陕西,兴平,713106)
摘要:采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明:在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15 kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1 Mpa.这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材.由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.微观结构及成分分析显示:连接层为厚度 2 μm～3 μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好.
关键词:陶瓷连接; SiC/Si3N4陶瓷先驱体; 聚硅氮烷; 反应烧结碳化硅(RBSiC);
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