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后天抑制剂取向硅钢析出物的研究

来源期刊:材料工程2012年第7期

论文作者:吴忠旺 赵宇 李军 李波

文章页码:55 - 58

关键词:硅钢;析出物;渗N;Si3N4;

摘    要:采用"后天抑制剂法"制备取向硅钢,通过TEM研究热轧、常化、脱C和渗N阶段析出物的类型和分布。结果表明,热轧、常化和脱C板中的析出物主要是AlN颗粒,AlN颗粒在热轧、常化和脱C板中分布密度低;渗N后钢中形成非晶态Si3N4颗粒,非晶态Si3N4颗粒有多边形大块状和规则小四方形2种形貌,多边形大块状Si3N4颗粒分布在晶界,规则小四方形Si3N4颗粒主要分布在晶内。

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后天抑制剂取向硅钢析出物的研究

吴忠旺1,2,赵宇1,李军1,李波3

1. 安泰科技股份有限公司功能材料事业部2. 安泰科技股份有限公司研发中心3. 中国钢研科技集团有限公司

摘 要:采用"后天抑制剂法"制备取向硅钢,通过TEM研究热轧、常化、脱C和渗N阶段析出物的类型和分布。结果表明,热轧、常化和脱C板中的析出物主要是AlN颗粒,AlN颗粒在热轧、常化和脱C板中分布密度低;渗N后钢中形成非晶态Si3N4颗粒,非晶态Si3N4颗粒有多边形大块状和规则小四方形2种形貌,多边形大块状Si3N4颗粒分布在晶界,规则小四方形Si3N4颗粒主要分布在晶内。

关键词:硅钢;析出物;渗N;Si3N4;

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