高熔点金属区域熔炼中晶体生长角和凝固速率对熔区稳定性的影响
来源期刊：金属学报2015年第1期
论文作者：李双明 耿振博 胡锐 刘毅 罗锡明
文章页码：114 - 120
关键词：高熔点金属;电子束区熔;生长角;界面生长机制;
摘 要：对高熔点金属Nb,W,Ta,Mo及Ir电子束区熔熔区高度进行了稳定性分析,发现在区熔相同尺寸试样时,能够稳定熔区高度大小排序依次为Nb>Mo>W>Ta>Ir.计算获得了这5种金属的晶体生长角在8°~13°之间,发现生长角不为零对大尺寸试样熔区高度起主导作用,同时金属的实际晶体生长角与界面生长机制有关.当为粗糙界面生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加变化不大;而为位错生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加而减少;如为小面生长机制时,生长角在低速下会大幅度减小,并随凝固速率增加而增大.采用较大的凝固速率(约1 mm/min)有利于控制Ir和Mo晶体生长角变化和熔区高度,这一点与Mo区熔单晶生长实验结果基本吻合.
李双明1，耿振博1，胡锐1，刘毅2，罗锡明2
1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室2. 昆明贵金属研究所
摘 要：对高熔点金属Nb,W,Ta,Mo及Ir电子束区熔熔区高度进行了稳定性分析,发现在区熔相同尺寸试样时,能够稳定熔区高度大小排序依次为Nb>Mo>W>Ta>Ir.计算获得了这5种金属的晶体生长角在8°~13°之间,发现生长角不为零对大尺寸试样熔区高度起主导作用,同时金属的实际晶体生长角与界面生长机制有关.当为粗糙界面生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加变化不大;而为位错生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加而减少;如为小面生长机制时,生长角在低速下会大幅度减小,并随凝固速率增加而增大.采用较大的凝固速率(约1 mm/min)有利于控制Ir和Mo晶体生长角变化和熔区高度,这一点与Mo区熔单晶生长实验结果基本吻合.
关键词：高熔点金属;电子束区熔;生长角;界面生长机制;
