SiCw/Si3N4复合陶瓷的制备及介电性能的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2017年第4期
论文作者：肖伟玲 肖鹏 周伟 罗衡
文章页码：1061 - 1066
关键词：SiC_w;Si3N4;复合陶瓷;凝胶注模成型;介电性能;
摘 要：采用凝胶注模成型工艺制备了SiCw/Si3N4复合陶瓷,由扫描电镜（SEM）可以看出,随热处理温度升高,碳化硅晶须的长径比逐渐减小;随烧结温度升高,复合陶瓷开孔率降低,密度随晶须含量的增加而增加。研究表明,SiCw/Si3N4复合陶瓷的介电常数实部和虚部随碳化硅晶须含量的增加而升高,当烧结温度为1600℃,晶须含量从5%增加到15%时,8 GHz时介电常数实部从13.4增加到22.8,虚部从0.67增加到4.86;当烧结温度为1750℃时,8 GHz时介电常数实部从9.2增加到21.7,虚部从0.51增加到3.02。由反射率曲线可以看出,烧结温度为1750℃比1600℃时反射衰减随晶须含量的增加向低频移动的更快,频宽更宽。
肖伟玲1,2，肖鹏1，周伟1，罗衡1
1. 中南大学粉末冶金国家重点实验室2. 航天科工武汉磁电有限责任公司
摘 要：采用凝胶注模成型工艺制备了SiCw/Si3N4复合陶瓷,由扫描电镜（SEM）可以看出,随热处理温度升高,碳化硅晶须的长径比逐渐减小;随烧结温度升高,复合陶瓷开孔率降低,密度随晶须含量的增加而增加。研究表明,SiCw/Si3N4复合陶瓷的介电常数实部和虚部随碳化硅晶须含量的增加而升高,当烧结温度为1600℃,晶须含量从5%增加到15%时,8 GHz时介电常数实部从13.4增加到22.8,虚部从0.67增加到4.86;当烧结温度为1750℃时,8 GHz时介电常数实部从9.2增加到21.7,虚部从0.51增加到3.02。由反射率曲线可以看出,烧结温度为1750℃比1600℃时反射衰减随晶须含量的增加向低频移动的更快,频宽更宽。
关键词：SiC_w;Si3N4;复合陶瓷;凝胶注模成型;介电性能;
