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半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期

论文作者：白锡巍王云生李岚张绵

关键词：半绝缘GaAs; 低频振荡; 噪声;

摘要：在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.

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白锡巍¹，王云生¹，李岚¹，张绵¹

(1.信息产业部电子十三所,石家庄050051)

摘要:在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.

关键词:半绝缘GaAs; 低频振荡; 噪声;

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