GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用
来源期刊：材料导报2002年第1期
论文作者：窦宝锋 顾彪 王三胜 徐茵 杨大智 秦福文
关键词：GaN; 外延生长; 掺杂; 半导体器件;
摘 要：GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
窦宝锋1，顾彪1，王三胜1，徐茵1，杨大智2，秦福文1
(1.大连理工大学电气工程与应用电子技术系;
2.三束材料改性国家重点实验室;
3.材料科学与工程系大连,116024)
摘要:GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
关键词:GaN; 外延生长; 掺杂; 半导体器件;
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