亚硝酸根在纳米氧化锆-CTAB复合物膜修饰电极上的电化学行为及测定
来源期刊：分析试验室2013年第3期
论文作者：张克营 俆基贵 张娜 王红艳 王聪 陈志兵
文章页码：56 - 58
关键词：亚硝酸根;纳米氧化锆;十六烷基三甲基溴化铵;修饰电极;
摘 要：制备了纳米ZrO2,采用XRD和原子力显微镜技术加以表征。构建了十六烷基三甲基溴化铵-纳米ZrO2修饰电极。用循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了亚硝酸根（NO2-）在该修饰上的电化学行为,结果表明,该修饰电极对NO2-的氧化具有良好的电催化能力,示差脉冲伏安信号与其浓度在6×10-7～1.6×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.3×10-7mol/L（S/N=3）。此外,方法已用于NO2-样品的测定。
张克营1，俆基贵1，张娜2，王红艳1，王聪1，陈志兵1
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摘 要：制备了纳米ZrO2,采用XRD和原子力显微镜技术加以表征。构建了十六烷基三甲基溴化铵-纳米ZrO2修饰电极。用循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了亚硝酸根（NO2-）在该修饰上的电化学行为,结果表明,该修饰电极对NO2-的氧化具有良好的电催化能力,示差脉冲伏安信号与其浓度在6×10-7～1.6×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.3×10-7mol/L（S/N=3）。此外,方法已用于NO2-样品的测定。
关键词：亚硝酸根;纳米氧化锆;十六烷基三甲基溴化铵;修饰电极;
