UFeGa5单晶生长及晶体结构研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2014年第3期
论文作者：谢东华 赖新春 陈秋云 张延志 徐钦英 罗丽珠
文章页码：646 - 649
关键词：UFeGa5;助熔剂法;晶体结构;Rietveld方法;
摘 要：采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究。结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好。UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2)nm,c=0.67298(3)nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证。
谢东华1,2，赖新春1，陈秋云1，张延志3，徐钦英1，罗丽珠1
1. 表面物理与化学重点实验室2. 北京理工大学3. 中国工程物理研究院
摘 要：采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究。结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好。UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2)nm,c=0.67298(3)nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证。
关键词：UFeGa5;助熔剂法;晶体结构;Rietveld方法;
