a-Si/a-SiNx超晶格材料光学特性
来源期刊：功能材料与器件学报2009年第3期
论文作者：申继伟 王国立 郭亨群 陈坤基 张春华 徐骏
关键词：a-Si/a-SiNx超晶格; 光致发光; 量子限制效应; 射频磁控反应溅射;
摘 要：采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.
申继伟1，王国立1，郭亨群1，陈坤基2，张春华1，徐骏2
(1.华侨大学,信息科学与工程学院,泉州,362021;
2.南京大学,物理系,南京,210093)
摘要:采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.
关键词:a-Si/a-SiNx超晶格; 光致发光; 量子限制效应; 射频磁控反应溅射;
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