纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为
来源期刊：材料工程2002年第1期
论文作者：张淑霞 翟华嶂 李建保 张波 孙晶晶
关键词：介电性能; 缺陷; 碳热还原; 碳化硅纳米粉;
摘 要：通过碳热还原法合成了纳米SiC粉并对其在8.2～12.4GHz频率范围的介电参数进行了测量.通过改变铝含量和反应气氛分别得到了β,12H和21R型碳化硅粉.β-SiC粉具有比α-SiC粉高得多的相对介电常数ε′r=30～50)和介电损耗角正切值(tgδ=～0.7).虽然Al和N的固溶将SiC粉的电阻率减小到102Ω*cm的量级,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加,反而随Al含量的增加降低.
张淑霞1，翟华嶂1，李建保1，张波1，孙晶晶1
(1.新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084)
摘要:通过碳热还原法合成了纳米SiC粉并对其在8.2～12.4GHz频率范围的介电参数进行了测量.通过改变铝含量和反应气氛分别得到了β,12H和21R型碳化硅粉.β-SiC粉具有比α-SiC粉高得多的相对介电常数ε′r=30～50)和介电损耗角正切值(tgδ=～0.7).虽然Al和N的固溶将SiC粉的电阻率减小到102Ω*cm的量级,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加,反而随Al含量的增加降低.
关键词:介电性能; 缺陷; 碳热还原; 碳化硅纳米粉;
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