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LiF对镁铝尖晶石透明陶瓷红外透过率的影响

来源期刊:无机材料学报2012年第4期

论文作者:李法荟 林红 李俊峰 雷牧云 李祯 李建保

文章页码:417 - 421

关键词:透明陶瓷;镁铝尖晶石;LiF;红外透过率;感应耦合等离子体法;

摘    要:以溶胶-凝胶法制备镁铝尖晶石(以下简称"尖晶石")粉末,掺入02.5wt%的LiF,经球磨后,测试混合粉末的物相组成.采用热压(HP;32 MPa/1550℃)及热压结合热等静压(HP/HIP;热等静压工艺条件为150 MPa/1700℃)工艺制备出尖晶石透明陶瓷.分析测试了掺入不同LiF的尖晶石陶瓷的结构和红外透过率,采用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,或ICP)方法测定了LiF掺杂后的粉料和透明陶瓷中的Li离子含量.实验显示,LiF的加入促进了尖晶石晶粒长大和气孔的排除,并促进了尖晶石陶瓷烧结的致密化进程.添加1.0wt%1.5wt%LiF的尖晶石透明陶瓷具有最高的红外透过率.LiF在尖晶石陶瓷中形成残余物质,添加过量的LiF对尖晶石陶瓷的光学性能会产生不利影响.

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LiF对镁铝尖晶石透明陶瓷红外透过率的影响

李法荟1,2,林红1,李俊峰1,雷牧云3,李祯3,李建保1,4

1. 清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室2. 人工晶体研究院3. 烁光特晶科技有限公司4. 海南大学材料与化工学院海南优势资源化工材料应用技术教育部重点实验室

摘 要:以溶胶-凝胶法制备镁铝尖晶石(以下简称"尖晶石")粉末,掺入02.5wt%的LiF,经球磨后,测试混合粉末的物相组成.采用热压(HP;32 MPa/1550℃)及热压结合热等静压(HP/HIP;热等静压工艺条件为150 MPa/1700℃)工艺制备出尖晶石透明陶瓷.分析测试了掺入不同LiF的尖晶石陶瓷的结构和红外透过率,采用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,或ICP)方法测定了LiF掺杂后的粉料和透明陶瓷中的Li离子含量.实验显示,LiF的加入促进了尖晶石晶粒长大和气孔的排除,并促进了尖晶石陶瓷烧结的致密化进程.添加1.0wt%1.5wt%LiF的尖晶石透明陶瓷具有最高的红外透过率.LiF在尖晶石陶瓷中形成残余物质,添加过量的LiF对尖晶石陶瓷的光学性能会产生不利影响.

关键词:透明陶瓷;镁铝尖晶石;LiF;红外透过率;感应耦合等离子体法;

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