电子束辐照对聚酰亚胺电气性能的影响
来源期刊:绝缘材料2006年第6期
论文作者:马丽婵 张要强 刘晓东 郑晓泉
关键词:聚酰亚胺; 纳米改性; 电子辐射; 介电性能;
摘 要:研究了高能电子束辐照对聚酰亚胺薄膜(PI)试样电气性能的影响.实验发现高能电子束辐照后PI的介电常数减小,电导率增大,电损耗增大.利用原位聚合法把70纳米Al2O3粒子引入到PI薄膜中,对材料进行改性,实验发现改性后PI薄膜抗高能电子束辐射能力得到加强.
马丽婵1,张要强1,刘晓东1,郑晓泉1
(1.西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049)
摘要:研究了高能电子束辐照对聚酰亚胺薄膜(PI)试样电气性能的影响.实验发现高能电子束辐照后PI的介电常数减小,电导率增大,电损耗增大.利用原位聚合法把70纳米Al2O3粒子引入到PI薄膜中,对材料进行改性,实验发现改性后PI薄膜抗高能电子束辐射能力得到加强.
关键词:聚酰亚胺; 纳米改性; 电子辐射; 介电性能;
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