坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响

张聪^1,2，魏奎先^1,2，马文会^1,2，陈秀华³，张俊峰³

1. 昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室2. 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心3. 云南大学物理学与技术学院

摘 要：冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质,这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下,对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯。经对铸锭切片的电阻率测试得出:坩埚表面改性使冶金法多晶硅锭的电阻率得到了明显的提高,电阻率的最高值由原来冷凝速率为20μm/s时的110mΩ.cm提高到30μm/s时227mΩ.cm;经对铸锭切片的少子寿命测试得出:冶金法多晶硅的少子寿命在冷凝速率20μm/s时最高,坩埚表面改性使少子寿命由原来的0.81μs提高到1.91μs。

关键词：表面改性;冶金法;多晶硅;少子寿命;电阻率;