化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展
来源期刊：材料导报2004年第12期
论文作者：王海波 曲鹏 邱冠周 吴雪兰 宋晓岚
关键词：化学机械抛光(CMP) SiO2 浆料;
摘 要：随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点.介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍了SiO2浆料的国内外研究现状,并展望了CMP技术及SiO2浆料的研究开发和应用前景.
王海波1，曲鹏1，邱冠周1，吴雪兰1，宋晓岚1
(1.中南大学资源生物学院,长沙,410083)
摘要:随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点.介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍了SiO2浆料的国内外研究现状,并展望了CMP技术及SiO2浆料的研究开发和应用前景.
关键词:化学机械抛光(CMP) SiO2 浆料;
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