PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究
来源期刊：无机材料学报2004年第2期
论文作者：夏冬林 赵修建 周学东 刘梅冬
关键词：锆钛酸铅(PZT)薄膜; PT种子层; sol-gel法; 快速热处理; 电滞回线; Ⅰ-Ⅴ特性;
摘 要：以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.
夏冬林1，赵修建1，周学东1，刘梅冬2
(1.武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;
2.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074)
摘要:以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.
关键词:锆钛酸铅(PZT)薄膜; PT种子层; sol-gel法; 快速热处理; 电滞回线; Ⅰ-Ⅴ特性;
【全文内容正在添加中】
