采用Ag-Cu-In-Ti焊料连接碳化硅陶瓷
来源期刊：无机材料学报2009年第4期
论文作者：黄政仁 袁明 刘学建 刘岩
关键词：Ag-Cu-In-Ti; SiC; 连接强度; 界面结构;
摘 要：采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷.研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响,同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构,并且探讨了连接的原理.试验结果表明,在700～780℃试验温度范围内,碳化硅的连接强度存在峰值,最高四点弯曲强度达到了234MPa,但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势.接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成,连续致密的反应层紧密连接基体和焊料,反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成,带状层宽度约20nm,由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成.元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值,活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.
黄政仁1，袁明1，刘学建1，刘岩1
(1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100049)
摘要:采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷.研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响,同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构,并且探讨了连接的原理.试验结果表明,在700～780℃试验温度范围内,碳化硅的连接强度存在峰值,最高四点弯曲强度达到了234MPa,但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势.接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成,连续致密的反应层紧密连接基体和焊料,反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成,带状层宽度约20nm,由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成.元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值,活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.
关键词:Ag-Cu-In-Ti; SiC; 连接强度; 界面结构;
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