二氧化锡纳米线的制备及氢气敏感特性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2013年第4期
论文作者：杨洋 熊娟 何俊蕾 郭飞 顾豪爽
文章页码：157 - 160
摘 要：采用化学气相沉积(CVD)方法在有金催化层的硅片上制备了SnO2纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射仪(XRD)对其形貌及结构进行了表征,分析了蒸发温度及氧气流量对SnO2相貌的影响。对比了SnO2纳米线在室温及150℃条件下的氢气敏感特性,结果表明SnO2纳米线在150℃下对氢气的灵敏度高达13.3,响应及回复时间≤5 s,表现出了良好的氢敏性能。
杨洋，熊娟，何俊蕾，郭飞，顾豪爽
湖北大学 物理学与电子技术学院
摘 要：采用化学气相沉积(CVD)方法在有金催化层的硅片上制备了SnO2纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射仪(XRD)对其形貌及结构进行了表征,分析了蒸发温度及氧气流量对SnO2相貌的影响。对比了SnO2纳米线在室温及150℃条件下的氢气敏感特性,结果表明SnO2纳米线在150℃下对氢气的灵敏度高达13.3,响应及回复时间≤5 s,表现出了良好的氢敏性能。
关键词：
