分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究

来源期刊：工程科学学报1999年第2期

论文作者：白元强 莫庆伟 范缇文

文章页码：3 - 5

关键词：分子束外延技术;自组织生长;InAs量子点;

摘    要：报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着InAs量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀．在试验条件下，5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成．