Si含量对Al-XSi合金表面PEO陶瓷层形成过程及性能的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2018年第2期

论文作者：王萍 周立果 李建平 郭永春 杨忠 王建利

文章页码：521 - 529

关键词：铸造Al-Si合金;Si含量;等离子体电解氧化;陶瓷层;隔热性能;硬度;

摘    要：研究了Si含量对铸造Al-XSi合金表面PEO陶瓷层形成过程及隔热性能和硬度的影响。采用SEM、XRD和EDS对陶瓷层微观结构和物相进行了分析,并运用自制的隔热温差测量装置和维氏显微硬度仪对其隔热性能及硬度进行了测试。结果表明:在等离子体电解氧化初期,硅原子以及第二相Al₃Cu Ni都会阻碍微弧放电,抑制铝氧化膜的形成,降低膜层的致密性;随着基体中硅含量的升高,Al-XSi合金内初生硅、共晶硅含量增多,出现硅颗粒的堆积现象,等离子体放电越困难,涂层的生长速率降低,陶瓷层中α-Al₂O₃及Si O₂的含量随之升高,隔热温度也随之升高,硬度下降。