平面磁化/垂直磁化双层耦合膜的磁化方向分析
来源期刊：磁性材料及器件2003年第5期
论文作者：沈德芳 张约品 干福熹 王现英 李青会
关键词：磁光存储; 中心孔探测型磁超分辨; 交换耦合双层膜; 磁化方向;
摘 要：平面磁化/垂直磁化双层磁光薄膜之间交换耦合作用的控制是中心孔探测型磁超分辨(CAD-MSR)技术的关键.本文根据磁能分布的连续模型,通过一定的数值方法和边界条件解磁能量方程.总结了单层膜磁交换常数、有效各向异性常数和饱和磁化强度对读出层磁化方向的影响规律.计算结果表明,要实现CAD-MSR,平面磁化层的饱和磁化强度必须有随温度升高而下降的趋势,而记录层的饱和磁化强度最好随温度升高而增大.计算结果将对两层耦合膜实验中材料的选取有直接的指导作用.
沈德芳1，张约品1，干福熹1，王现英1，李青会1
(1.中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800)
摘要:平面磁化/垂直磁化双层磁光薄膜之间交换耦合作用的控制是中心孔探测型磁超分辨(CAD-MSR)技术的关键.本文根据磁能分布的连续模型,通过一定的数值方法和边界条件解磁能量方程.总结了单层膜磁交换常数、有效各向异性常数和饱和磁化强度对读出层磁化方向的影响规律.计算结果表明,要实现CAD-MSR,平面磁化层的饱和磁化强度必须有随温度升高而下降的趋势,而记录层的饱和磁化强度最好随温度升高而增大.计算结果将对两层耦合膜实验中材料的选取有直接的指导作用.
关键词:磁光存储; 中心孔探测型磁超分辨; 交换耦合双层膜; 磁化方向;
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