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V5+和Bi3+联合取代对LiZnTi铁氧体材料微观结构和磁性能的影响

来源期刊:磁性材料及器件2020年第2期

论文作者:邱华 贾利军 沈琦杭 解飞 张怀武

文章页码:1 - 5

关键词:LiZnTi铁氧体;V-Bi取代;磁性能;微结构;

摘    要:采用固相反应法制备了以V-Bi置换Ti4+的LiZnTi铁氧体,获得较低的铁磁共振线宽和矫顽力,同时还保证其具有较高的饱和磁化强度、剩磁比和烧结密度。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)等分析了在880℃和900℃烧结温度下,V-Bi二元取代对LiZnTi铁氧体的微观结构和电磁性能的影响。研究结果表明,其微观形貌与V-Bi取代量密切相关,适量的V-Bi取代可改善材料的微观结构,但过量的V-Bi会阻碍晶粒的生长。随着V-Bi取代量的增加,样品的饱和磁化强度Bs、剩磁比先增大后减小,铁磁共振线宽ΔH、矫顽力Hc先减小后逐渐增大。

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V5+和Bi3+联合取代对LiZnTi铁氧体材料微观结构和磁性能的影响

邱华,贾利军,沈琦杭,解飞,张怀武

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

摘 要:采用固相反应法制备了以V-Bi置换Ti4+的LiZnTi铁氧体,获得较低的铁磁共振线宽和矫顽力,同时还保证其具有较高的饱和磁化强度、剩磁比和烧结密度。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)等分析了在880℃和900℃烧结温度下,V-Bi二元取代对LiZnTi铁氧体的微观结构和电磁性能的影响。研究结果表明,其微观形貌与V-Bi取代量密切相关,适量的V-Bi取代可改善材料的微观结构,但过量的V-Bi会阻碍晶粒的生长。随着V-Bi取代量的增加,样品的饱和磁化强度Bs、剩磁比先增大后减小,铁磁共振线宽ΔH、矫顽力Hc先减小后逐渐增大。

关键词:LiZnTi铁氧体;V-Bi取代;磁性能;微结构;

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