用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第2期
论文作者：焦继伟 王跃林 邢向龙
关键词：MEMS; 接触平坦化; 化学机械抛光; 均匀性; 凹陷效应;
摘 要：实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作.实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm.与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(Dishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性.
焦继伟1，王跃林1，邢向龙1
(1.中国科学院上海微系统于信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作.实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm.与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(Dishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性.
关键词:MEMS; 接触平坦化; 化学机械抛光; 均匀性; 凹陷效应;
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