铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量Cd金属
来源期刊:无机材料学报2019年第1期
论文作者:要美娜 杨贤金 崔振铎 朱胜利 李朝阳 梁砚琴
文章页码:91 - 95
关键词:铋膜;阳极溶出伏安法;化学修饰电极;电化学检测;镉离子;
摘 要:镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+的浓度有关。本研究通过方波阳极溶出伏安法(SWASV)在活化铋膜电极(Activated BFE)上对低浓度μg/L水平的Cd(II)进行测定。通过电化学方法对电极进行初步改性,然后电沉积制备铋膜再次对电极进行改进,从而增强了对痕量目标Cd2+的敏感性。对改性前后的玻碳电极(GCE)表面进行SEM、CV、EIS和SWV的表征。为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+的实际样品中,对检测Cd2+的实验参数进行了研究。使用选定的条件,在10 min的预富集条件下Cd2+的检测限为1μg/L。
要美娜,杨贤金,崔振铎,朱胜利,李朝阳,梁砚琴
天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室
摘 要:镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+的浓度有关。本研究通过方波阳极溶出伏安法(SWASV)在活化铋膜电极(Activated BFE)上对低浓度μg/L水平的Cd(II)进行测定。通过电化学方法对电极进行初步改性,然后电沉积制备铋膜再次对电极进行改进,从而增强了对痕量目标Cd2+的敏感性。对改性前后的玻碳电极(GCE)表面进行SEM、CV、EIS和SWV的表征。为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+的实际样品中,对检测Cd2+的实验参数进行了研究。使用选定的条件,在10 min的预富集条件下Cd2+的检测限为1μg/L。
关键词:铋膜;阳极溶出伏安法;化学修饰电极;电化学检测;镉离子;