Co:TiO2稀磁半导体研究进展
来源期刊：材料导报2007年第6期
论文作者：陶汝华 赵义平 方晓东 李达 邓赞红 朱雪斌 王涛 董伟伟 苏清磊
关键词：钴; 二氧化钛; 稀磁半导体;
摘 要：Co:TiO2作为一种很有希望在自旋电子学器件中获得重要应用的室温稀磁半导体材料,最近几年获得了广泛关注.首先介绍了该体系的制备方法,如分子束外延、溅射、化学方法等,然后就Co:TiO2薄膜的输运性质和磁性作了敲为详细的阐述,对比较有争议的微结构和磁性起源问题也进行了探讨.归纳总结了目前在各方面的进展和存在的问题,并针对这些问题提出了今后的一些研究方向.
陶汝华1，赵义平1，方晓东1，李达1，邓赞红1，朱雪斌1，王涛1，董伟伟1，苏清磊1
(1.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031)
摘要:Co:TiO2作为一种很有希望在自旋电子学器件中获得重要应用的室温稀磁半导体材料,最近几年获得了广泛关注.首先介绍了该体系的制备方法,如分子束外延、溅射、化学方法等,然后就Co:TiO2薄膜的输运性质和磁性作了敲为详细的阐述,对比较有争议的微结构和磁性起源问题也进行了探讨.归纳总结了目前在各方面的进展和存在的问题,并针对这些问题提出了今后的一些研究方向.
关键词:钴; 二氧化钛; 稀磁半导体;
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