新型GYSGG(Gd_xY_3-xSc₂Ga₃O₁₂)晶体的生长、结构及透过光谱研究

程毛杰¹，孙敦陆¹，罗建乔¹，张会丽^1,2，陈家康^1,2，张庆礼¹，殷绍唐¹

1. 中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室2. 中国科学院大学

摘 要：采用提拉法成功生长出高质量的GYSGG(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12)晶体,对其结构及透过光谱进行了研究。GYSGG晶体的晶格常数大于目前常用的GGG和CaMgZr:GGG,介于YSGG与GSGG之间。可通过改变晶体中Gd与Y的比例,获得应用中所需不同晶格常数的晶体基片。另外,晶体三个结晶面的摇摆曲线有对称的形状和较小的半高宽,表明晶体有较好的结晶完整性。观察分析了晶体三个结晶面的位错腐蚀图。透过光谱分析表明晶体有宽的透光波段,将计算得到的折射率曲线拟合得到了折射率塞米尔方程系数。因此,GYSGG不仅是一种优良的激光基质晶体,也是一种宽波段窗口材料和潜在的具有较大晶格常数,并且晶格常数可调的新型磁泡应用衬底材料。

关键词：GYSGG晶体;晶格常数;摇摆曲线;位错;透过光谱;