放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响

程华^1,2，钱永产²，薛军²，吴爱民³，石南林¹

1. 中国科学院金属研究所2. 中国人民解放军装甲兵技术学院3. 大连理工大学

摘 要：用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响。结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5—2倍,但是薄膜的结晶度较低;以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响。

关键词：材料合成与加工工艺;微晶硅薄膜;ECR-PECVD;放电气体;