氨苄青霉素降解产物在汞膜电极上的伏安法研究
来源期刊：分析试验室2001年第4期
论文作者：张玉忠 袁倬斌
文章页码：16 - 18
关键词：氨苄青霉素;玻碳汞膜电极;伏安法;
摘 要：考察了氨苄青霉素在酸、碱条件下的降解产物于玻碳汞膜电极上的伏安行为 ,降解产物在醋酸缓冲溶液 ( p H5.5)的底液中均产生了灵敏的阴极还原峰 ,以碱降解条件为好。已将方法应用于模拟样品的分析。
张玉忠，袁倬斌
中国科学院研究生院化学部!北京100039
摘 要：考察了氨苄青霉素在酸、碱条件下的降解产物于玻碳汞膜电极上的伏安行为 ,降解产物在醋酸缓冲溶液 ( p H5.5)的底液中均产生了灵敏的阴极还原峰 ,以碱降解条件为好。已将方法应用于模拟样品的分析。
关键词：氨苄青霉素;玻碳汞膜电极;伏安法;
