溅射功率对AZO透明导电薄膜的影响
来源期刊：材料导报2011年第6期
论文作者：史永胜 陈阳阳 宁青菊 秦双亮 宁磊
文章页码：42 - 44
关键词：AZO;射频磁控溅射;溅射功率;方阻;透射率;
摘 要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、溅射气体流量为15sccm、基片温度为200℃时制得的薄膜方阻为10Ω/□,在可见光区平均透射率大于85%。
史永胜，陈阳阳，宁青菊，秦双亮，宁磊
陕西科技大学电气与信息工程学院
摘 要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、溅射气体流量为15sccm、基片温度为200℃时制得的薄膜方阻为10Ω/□,在可见光区平均透射率大于85%。
关键词：AZO;射频磁控溅射;溅射功率;方阻;透射率;
