电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究
来源期刊：材料导报2006年增刊第1期
论文作者：杨伏良 甘卫平 张伟 刘泓
关键词：电子封装; 高硅铝合金; 热膨胀系数; 理论模型;
摘 要：采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100～400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素.结果表明:Si相作为增强体能显著改善Al-Si合金的微观组织与热膨胀性能,430℃热挤压下的高硅铝合金材料在100～400℃之间的热膨胀系数平均值与Turner模型很接近.
杨伏良1，甘卫平1，张伟1，刘泓1
(1.中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083)
摘要:采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100～400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素.结果表明:Si相作为增强体能显著改善Al-Si合金的微观组织与热膨胀性能,430℃热挤压下的高硅铝合金材料在100～400℃之间的热膨胀系数平均值与Turner模型很接近.
关键词:电子封装; 高硅铝合金; 热膨胀系数; 理论模型;
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