简介概要

太赫兹场作用下GaAs 量子阱的光吸收研究

来源期刊：稀有金属2004年第3期

论文作者：曹俊诚米贤武

关键词：光吸收谱; 量子阱; 太拉赫兹;

摘要：用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带.这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.

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曹俊诚¹，米贤武¹

(1.中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)

摘要:用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带.这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.

关键词:光吸收谱; 量子阱; 太拉赫兹;

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