LTO3制式磁头的优化设计

邓俊彦¹，邓沛然²，邓芬燕³

1. 东莞理工学院城市学院实验中心2. 上海工程技术大学材料工程学院3. 长沙大学实验中心

摘 要：LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,LTO3是第三代LTO产品,磁头为各向异性磁电阻磁头(AMR)。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计,如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo的厚度和屏蔽层的参数,对各因素的影响作了定量分析,确定了影响磁头性能的关键因素,从而获得了最佳的设计参数,使磁头有较好的性能和稳定性。

关键词：LTO3制式磁头;各向异性磁电阻磁头;田口方法;优化设计;