氧化钒薄膜的厚度对薄膜电学特性的影响
来源期刊：材料导报2008年第3期
论文作者：蒋亚东 王涛 吴志明 魏雄邦 许向东 唐晶晶
关键词：氧化钒; 薄膜厚度; 光谱式椭偏仪; 方阻; 方阻温度系数;
摘 要：利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的Si(100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜.用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试.采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响.实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段.
蒋亚东1，王涛1，吴志明1，魏雄邦1，许向东1，唐晶晶1
(1.电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
摘要:利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的Si(100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜.用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试.采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响.实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段.
关键词:氧化钒; 薄膜厚度; 光谱式椭偏仪; 方阻; 方阻温度系数;
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