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工艺参数对RF磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜特性的影响

来源期刊:材料科学与工程学报2003年第2期

论文作者:黄佳木 张兴元 董建华

关键词:ZnO:Al薄膜; 射频磁控溅射; 结构; 光电特性;

摘    要:ZnO:Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料,具有优良的光电特性,如低的电阻率和高的可见光透过率.本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响.结果表明原位制备的薄膜经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构,晶粒垂直于衬底方向柱状生长.薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为8.7×10-4Ωcm和85%以上.

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工艺参数对RF磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜特性的影响

黄佳木1,张兴元1,董建华1

(1.重庆大学材料学院,重庆,400045)

摘要:ZnO:Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料,具有优良的光电特性,如低的电阻率和高的可见光透过率.本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响.结果表明原位制备的薄膜经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构,晶粒垂直于衬底方向柱状生长.薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为8.7×10-4Ωcm和85%以上.

关键词:ZnO:Al薄膜; 射频磁控溅射; 结构; 光电特性;

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