CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响
来源期刊：兵器材料科学与工程2008年第6期
论文作者：郭伟 鲁旭东 孙红婵 李树奎 侯岳翔
关键词：化学气相沉积纯钨; 晶界结构; 重合位置点阵; 晶粒择优取向;
摘 要：为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对品界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验.结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中∑3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料.研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使品粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变.
郭伟1，鲁旭东1，孙红婵1，李树奎1，侯岳翔1
(1.北京理工大学,材料科学与工程学院,北京,100081)
摘要:为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对品界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验.结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中∑3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料.研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使品粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变.
关键词:化学气相沉积纯钨; 晶界结构; 重合位置点阵; 晶粒择优取向;
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