微波ECR-CVD法制备a-C:F:H膜的红外吸收及其光学带隙
来源期刊：材料科学与工程学报2002年第2期
论文作者：陆新华 甘肇强
关键词：a-C:F:H薄膜; 傅立叶变换红外光谱; 紫外可见光谱;
摘 要：改变CHF3/CH4流量比R=[CHF3]/([CHF3]+[CH4]),采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECR-CVD)方法沉积a-C:F:H薄膜.a-C:F:H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外-可见光谱来表征.红外结果表明,在低流量比R(R<64%)下,薄膜的红外特征结构主要以-CF(1060cm-1),-CF2(1120cm-1)以及-CHx(2800～3000cm-1)的伸缩振动为主;在高流量比R(R＞64%)下,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征,典型的红外特征峰是位于1220cm-1处的-CF2反对称伸缩振动.薄膜的光学带隙Eg随流量比R的变化表现为先降后升.进一步研究表明,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的 C==C共轭双键结构,使光学带隙Eg从2.37到3.3之间变化.
陆新华1，甘肇强2
(1.苏州大学化学系,江苏,苏州,215006;
2.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006)
摘要:改变CHF3/CH4流量比R=[CHF3]/([CHF3]+[CH4]),采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECR-CVD)方法沉积a-C:F:H薄膜.a-C:F:H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外-可见光谱来表征.红外结果表明,在低流量比R(R<64%)下,薄膜的红外特征结构主要以-CF(1060cm-1),-CF2(1120cm-1)以及-CHx(2800～3000cm-1)的伸缩振动为主;在高流量比R(R＞64%)下,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征,典型的红外特征峰是位于1220cm-1处的-CF2反对称伸缩振动.薄膜的光学带隙Eg随流量比R的变化表现为先降后升.进一步研究表明,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的 C==C共轭双键结构,使光学带隙Eg从2.37到3.3之间变化.
关键词:a-C:F:H薄膜; 傅立叶变换红外光谱; 紫外可见光谱;
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