气雾化低钴贮氢AB5型合金的电化学性能和 Rietveld 分析

来源期刊:稀有金属2001年第4期

论文作者:张曙光 马自力 石力开 郭宏 经海 卢彩涛 张少明

关键词:气体雾化; 贮氢合金; 钴; Rietveld; 法;

摘    要:用快速凝固气体雾化法制备了低钴系列贮氢合金 MlNi4.3-xCoxMn0.4Al0.3(x=0.75,0.45,0.29,0.1,Ml 为富镧混合稀土) 并测试其电化学性能.气雾化法可显著提高贮氢合金电极的充-放电循环稳定性,x=0.45 时合金的循环寿命与商用铸态合金的寿命相当.最大放电容量随着 Co 含量的增加,先增大后减小,在 x=0.29 时出现极大值(304.4 mAh/g).结合循环寿命和最大放电容量两个性能指标,x=0.45 时的合金具有良好的综合电化学性能.采用 Rietveld 法(多晶衍射图形拟合法)对其精细结构进行分析,合金仍保持母合金 LaNi5 的 CaCu5 型六方晶系结构,合金的晶胞体积对其循环寿命和最大放电容量起决定作用.

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