ICP-AES法测定高硅材料中11种元素
来源期刊:分析试验室1990年第2期
论文作者:李秀容 范孝嫦
文章页码:62 - 63
摘 要:<正> 对于高硅试样,目前国外已广泛采用ICP-AES法测定,国内也正开展这项工作,但多数仍采用碱熔或酸溶样后,重量法测Si和Ba;化学法或原子吸收光谱法测定其它元素。本文采用“压力溶弹”酸分解试样,ICP-AES法同时测定11种元素,回收率在96-110%之间,相对标准偏差为1-10%。一、仪器及参数PS-4型电感耦合等离子真空光量计(美国Bairol公司);RF发生器频率27.12MHz,入射功率1.25W,反射功率<5W;同心气动旋流雾室,旋流省气炬管(北京有色研究总院制造),载气0.32L/min,等离子气0.6L/min,冷却气8L/min;压力溶弹(石油化工科学研究院制)。
李秀容,范孝嫦
摘 要:<正> 对于高硅试样,目前国外已广泛采用ICP-AES法测定,国内也正开展这项工作,但多数仍采用碱熔或酸溶样后,重量法测Si和Ba;化学法或原子吸收光谱法测定其它元素。本文采用“压力溶弹”酸分解试样,ICP-AES法同时测定11种元素,回收率在96-110%之间,相对标准偏差为1-10%。一、仪器及参数PS-4型电感耦合等离子真空光量计(美国Bairol公司);RF发生器频率27.12MHz,入射功率1.25W,反射功率<5W;同心气动旋流雾室,旋流省气炬管(北京有色研究总院制造),载气0.32L/min,等离子气0.6L/min,冷却气8L/min;压力溶弹(石油化工科学研究院制)。
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