简介概要

钛酸钡中的硼间隙及其对PTCR效应的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2004年第3期

论文作者：李龙土桂治轮齐建全

关键词：BaTiO3; 硼间隙; PTCR; 蒸汽掺杂;

摘要：通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙.B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高.同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高.硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应.

详情信息展示

李龙土¹，桂治轮¹，齐建全¹

(1.清华大学,北京,100084)

摘要:通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙.B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高.同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高.硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应.

关键词:BaTiO3; 硼间隙; PTCR; 蒸汽掺杂;

【全文内容正在添加中】