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全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型

来源期刊：功能材料与器件学报2007年第1期

论文作者：李多力杜寰韩郑生李瑞贞海潮和

关键词：全耗尽SOI MOSFET; 阈值电压; 模型;

摘要：提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.

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李多力¹，杜寰¹，韩郑生¹，李瑞贞¹，海潮和¹

(1.中国科学院微电子研究所,北京,100029)

摘要:提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.

关键词:全耗尽SOI MOSFET; 阈值电压; 模型;

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