ZrV2体系的第一原理研究
来源期刊：金属学报2002年第2期
论文作者：赵鹏骥 彭述明 杨茂年 罗顺忠 梁建华 赵朝前 徐志磊 龙兴贵
关键词：ZrV2合金; 贮氢; 第一原理;
摘 要：基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.
赵鹏骥1，彭述明1，杨茂年1，罗顺忠1，梁建华1，赵朝前2，徐志磊1，龙兴贵1
(1.中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900;
2.四川省技术监督学校,峨眉,614200)
摘要:基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.
关键词:ZrV2合金; 贮氢; 第一原理;
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