蓝紫色ZnO-Al2O3-SiO2长余辉陶瓷

苏锵¹，李成宇¹，王淑彬¹，王静¹

(1.中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,吉林,长春,130022;
2.光电子材料与技术国家重点实验室,中山大学化学与化工学院,广东,广州,510275)

摘要:通过高温固相法首次合成并报道了兰紫色ZnO-Al2O3-SiO2长余辉陶瓷, 系统地研究了其发光和缺陷性质. 在强度0.6 mW*cm-2, 主峰254 nm的UVP紫外灯下激发15 min, 然后关闭激发源, 样品发射兰紫色长余辉. 撤去激发源以后5s, 余辉初始强度为230 mcd*m-2, 色坐标为(0.1292, 0.0984). 暗视场中, 8 h以后余辉仍然肉眼可辨. 样品的紫外可见发射和不同时间的余辉发射光谱显示: 荧光发射位于390 nm, 来源于基质的自致发光; 而余辉有两个发射峰, 主峰位于390 nm, 肩峰位于520 nm. 这表明样品中存在两种余辉发射中心. 由余辉衰减曲线可以看出, 这两种余辉发光都由一个快过程和一个慢过程组成. 其中, 慢过程决定了材料的长余辉时间. 从时间依赖的余辉强度倒数曲线可以看出, 余辉强度与时间成反比, 这表明余辉发光的机理为电子空穴复合过程. 热释光谱显示: 样品分别在92和 250 ℃附近出现两个宽的热释峰, 说明材料中至少存在两种具有不同陷阱深度的电子或空穴缺陷中心.

关键词:稀土; 长余辉; 热释光; 陷阱; 硅铝锌陶瓷;

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