制备工艺参数对Cu表面Cu/Si梯度层断面显微组织的影响

来源期刊：材料工程2013年第2期

论文作者：李运刚 田薇 方秀君

文章页码：65 - 166

关键词：Cu/Si梯度材料;工艺参数;显微组织;电沉积硅;

摘    要：以Cu为基体,利用KCl-NaCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积出的硅作为渗硅硅源,电沉积硅和在Cu基体上渗硅同时进行,制备了Cu/Si梯度层。本工作就制备工艺参数对梯度层断面显微组织的影响进行了研究,结果表明:Cu/Si的梯度层断面由不同显微组织的表面层、中间层和过渡层构成,表面层是等轴晶组织,中间层是柱状晶组织;梯度层厚度随电沉积渗硅温度的升高、电沉积时间的延长而增厚,并且表面层晶粒、中间层晶粒均得到细化;电沉积时间延长,表面层厚度逐渐增大,中间层厚度逐渐减小;梯度层中,表面层金相相组织由（Cu）相、К相、γ相、η相和ε相中的一相或两相构成;中间层完全是（Cu）相。