掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第3期
论文作者：曹名洲 周银娥 熊良钺 邓文 祝莹莹 黄宇阳
关键词：TiAl合金; 电子密度; 缺陷; 正电子湮没; TiAl alloy; electron density; microdefect; positron annihilation;
摘 要：测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.
曹名洲1，周银娥2，熊良钺1，邓文2，祝莹莹2，黄宇阳2
(1.中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016;
2.广西大学,广西,南宁,530004;
3.中国科学院国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016)
摘要:测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.
关键词:TiAl合金; 电子密度; 缺陷; 正电子湮没; TiAl alloy; electron density; microdefect; positron annihilation;
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