薄膜厚度对ZnO:Ga透明导电膜性能的影响
来源期刊：功能材料2005年第2期
论文作者：计峰 余旭浒 马瑾 马洪磊 程传福 张锡健 王玉恒
关键词：磁控溅射; ZnO:Ga; 薄膜厚度; 光电性质;
摘 要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
计峰1，余旭浒1，马瑾1，马洪磊1，程传福2，张锡健1，王玉恒1
(1.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100;
2.山东师范大学,物理系,山东,济南,250014)
摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:磁控溅射; ZnO:Ga; 薄膜厚度; 光电性质;
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