不同碳黑填料含量2D-SiCf/SiC复合材料介电及雷达吸波性能研究

程海峰¹，郑文伟¹，刘海韬¹，周旺¹，唐耿平¹，王军¹

(1.国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073)

摘要:对先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备的含碳黑填料2D-SiCf/SiC复合材料介电以及雷达吸波性能进行研究.研究表明,由于KD-Ⅰ型SiC纤维表面具有连续碳涂层,不能直接用于吸波材料,需通过空气热处理手段将其除去.对纤维表面去碳后制成的不同碳黑填料含量2D-SiCf/SiC复合材料微波介电常数进行测试,结果表明,随碳黑含量增加,复合材料介电常数明显增大,但由于碳黑的高比表面和先驱体溶液粘度的限制,复合材料中碳黑体积分数最大仅能达到7%～8%,介电常数难以继续增大,介电损耗低于0.3,并且介电常数频散效应不理想.对不同碳黑填料含量复合材料反射率进行计算,结果表明,单层复合材料在某一频段内具有较好的吸波性能,但由于复合材料介电常数频散效应较差,宽频吸波性能不理想,采用不同吸收剂含量复合材料层铺工艺可能可以解决吸波性能带宽问题.

关键词:PIP工艺; 碳黑; 2D-SiCf/SiC; 介电常数; 雷达吸波性能;

【全文内容正在添加中】