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非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第2期

论文作者：莫培根杜立新赵福川谈惠祖

关键词：垂直凝固(VGF); 半绝缘GaAs单晶; 晶体生长;

摘要：研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.

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莫培根¹，杜立新¹，赵福川¹，谈惠祖¹

(1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050)

摘要:研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.

关键词:垂直凝固(VGF); 半绝缘GaAs单晶; 晶体生长;

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