溅射压强对a-IGZO薄膜的表面粗糙度、氧空位及电学特性的影响（英文）

李玲^1,2，薛涛²，宋忠孝³，刘纯亮²，马飞³

1. 山东大学2. 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室3. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

摘 要：详细地研究了溅射压强对a-IGZO薄膜的微结构和电学特性产生的影响。AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度随溅射压强的增加而增大。XPS分析表明薄膜中氧空位含量随溅射压强的增加而减少。增加表面粗糙度和减少氧空位对a-IGZO薄膜晶体管的特性有着决定性的作用。当溅射压强保持在0.6 Pa时,得到的薄膜晶体管的特性最佳,电子的饱和迁移率和门限电压分别是3.32 cm²/（V·s）和24.6 V。溅射压强是磁控溅射制备IGZO薄膜及其晶体管的关键影响因素。

关键词：a-IGZO;薄膜晶体管;溅射压强;氧空位;