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低损耗(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的微波介电性能研究

来源期刊:功能材料2011年第S4期

论文作者:姚国光 裴翠锦 马红 田秀劳

文章页码:732 - 1470

关键词:介质陶瓷;介电性能;烧结特性;

摘    要:采用标准电子陶瓷工艺制备了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷。研究了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能。采用X射线衍射分析其物相组成,利用SEM观察其显微结构。XRD图谱表明烧结样品为立方尖晶石(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4结构,晶胞参数为a=b=c=0.848794nm。实验结果表明,随烧结温度升高,样品相对介电常数(εr)和品质因数(Q.f)先增加后减小,谐振频率温度系数(τf)变化不大。1325℃/5h烧结样品具有优良微波介电性能:εr=13.1,Q.f=131170GHz(10GHz)、τf=-55.6×10-6/℃。

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低损耗(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的微波介电性能研究

姚国光1,裴翠锦2,马红1,田秀劳1

1. 西安邮电学院理学院2. 运城学院应用化学系

摘 要:采用标准电子陶瓷工艺制备了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷。研究了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能。采用X射线衍射分析其物相组成,利用SEM观察其显微结构。XRD图谱表明烧结样品为立方尖晶石(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4结构,晶胞参数为a=b=c=0.848794nm。实验结果表明,随烧结温度升高,样品相对介电常数(εr)和品质因数(Q.f)先增加后减小,谐振频率温度系数(τf)变化不大。1325℃/5h烧结样品具有优良微波介电性能:εr=13.1,Q.f=131170GHz(10GHz)、τf=-55.6×10-6/℃。

关键词:介质陶瓷;介电性能;烧结特性;

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